NTB23N03R、NTB23N03RT4、NTB23N03RG对比区别
型号 NTB23N03R NTB23N03RT4 NTB23N03RG
描述 23A,25V功率MOSFET功率MOSFET 23安培， 25伏特N沟道D2PAK Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK功率MOSFET 23安培， 25伏特N沟道D2PAK Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 25.0 V
额定电流 23.0 A 23.0 A 23.0 A
漏源极电阻 32.0 mΩ 32.0 mΩ 32 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 37.5 W 37.5 W 37.5 W
输入电容 225 pF - 225 pF
栅电荷 3.76 nC - 3.76 nC
漏源极电压(Vds) 25 V 25.0 V 25 V
漏源击穿电压 25.0 V 25.0 V 25 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 23.0 A 23.0 A 23.0 A
输入电容(Ciss) 225pF @20V(Vds) - 225pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 37.5 W - 37.5 W
耗散功率(Max) 37.5 W - 37.5 W
上升时间 - 14.9 ns 14.9 ns
下降时间 - 2 ns 2 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
通道数 - - 1
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - - 10.29 mm
宽度 - - 9.65 mm
高度 - - 4.83 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown
包装方式 Tube Bulk Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free