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IDT71016S20YGI8、IDT71016S20YI、TC551664J-20对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71016S20YGI8 IDT71016S20YI TC551664J-20

描述 IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJCMOS静态RAM 1兆欧( 64K ×16位) CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)IC 64K X 16 CACHE SRAM, 20 ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44, Static RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Toshiba (东芝)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 SOJ BSOJ-44 SOJ

封装 SOJ BSOJ-44 SOJ

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 - -

ECCN代码 3A991 3A991 -