PMBFJ620、PMBFJ620,115对比区别

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型号 PMBFJ620 PMBFJ620,115

描述 双N沟道科幻场效晶体管 Dual N-channel field-effect transistorPMBFJ620,115 双 N通道 JFET 晶体管 25 V, 6引脚 UMT封装 24 → 60mA

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 6

封装 SC-88 SOT-323-6

击穿电压 - -25.0 V

漏源极电阻 - 50 Ω

极性 - N-Channel

耗散功率 - 190 mW

漏源极电压(Vds) - 25 V

击穿电压 - 25 V

输入电容(Ciss) - 5pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 190 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

封装 SC-88 SOT-323-6

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

ECCN代码 - EAR99