NTSB20100CT-1G、STPS20S100CR、VI20100C-E3/4W对比区别

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型号 NTSB20100CT-1G STPS20S100CR VI20100C-E3/4W

描述 非常低正向电压沟槽型肖特基沟槽型肖特基 Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Trench-based Schottky功率肖特基整流器 POWER SCHOTTKY RECTIFIER双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.50 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管阵列二极管阵列二极管阵列

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

引脚数 4 - -

正向电压 830mV @10A 850mV @10A 790mV @10A

工作结温 - 175℃ (Max) -

正向电压(Max) 830 mV - 790mV @10A

正向电流 10 A - -

最大正向浪涌电流（Ifsm） 150 A - -

正向电流(Max) 20000 mA - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ - -40℃ ~ 150℃