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FP10R06W1E3、FP10R06YE3、FP20R06W1E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FP10R06W1E3 FP10R06YE3 FP20R06W1E3

描述 INFINEON  FP10R06W1E3  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 10 A, 1.55 V, 68 W, 600 V, ModuleIGBT 模块 N-CH 600V 16AEasyPIM模块海沟/ Fieldstopp IGBT3和发射极控制二极管3和NTC EasyPIM module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw Screw

引脚数 23 - 23

封装 EASY1B EASY-2 EASY1B-1

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 68 W - 94 W

击穿电压(集电极-发射极) - - 600 V

输入电容(Cies) - - 1.1nF @25V

额定功率(Max) - - 94 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

额定功率 68 W - -

针脚数 23 - -

长度 62.8 mm 55.9 mm 62.8 mm

宽度 33.8 mm 45.6 mm 33.8 mm

高度 12 mm 12 mm 12 mm

封装 EASY1B EASY-2 EASY1B-1

工作温度 -40℃ ~ 150℃ - -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17