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BUK9510-100B,127、BUK7515-100A,127、PSMN015-100P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK9510-100B,127 BUK7515-100A,127 PSMN015-100P

描述 TO-220AB N-CH 100V 75ATO-220AB N-CH 100V 75AN沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 75.0 A

耗散功率 300 W 300 W 300 W

输入电容 - - 4.90 nF

栅电荷 - - 90.0 nC

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 75A 75A 75.0 A

上升时间 - 85 ns 65 ns

输入电容(Ciss) 11045pF @25V(Vds) 6000pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 300 W 300 W

下降时间 - 70 ns 50 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300000 mW

极性 N-CH N-CH -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free