IXGR48N60B3D1、IXGR48N60C3D1、IXGR24N60CD1对比区别

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型号 IXGR48N60B3D1 IXGR48N60C3D1 IXGR24N60CD1

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 150000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 ISOPLUS-247 ISOPLUS-247 ISOPLUS-247

耗散功率 150000 mW 125000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 100 ns 25 ns 25 ns

额定功率(Max) 150 W 125 W 80 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 150000 mW 125000 mW -

额定功率 - 125 W -

封装 ISOPLUS-247 ISOPLUS-247 ISOPLUS-247

长度 - 16.13 mm -

宽度 - 5.21 mm -

高度 - 21.34 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -