IRF1503S、IRF1503STRLPBF、IRF1503SPBF对比区别

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型号 IRF1503S IRF1503STRLPBF IRF1503SPBF

描述 D2PAK N-CH 30V 190AD2PAK N-CH 30V 190AD2PAK N-CH 30V 190A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 - 200 W 200 W

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 200 W 200W (Tc) 200 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 190A 190A 190A

上升时间 130 ns 130 ns 130 ns

输入电容(Ciss) - 5730pF @25V(Vds) 5730pF @25V(Vds)

下降时间 - 48 ns 48 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 200W (Tc) 200W (Tc)

正向电压 1.30 V - -

漏源极电阻 2.60 mΩ - -

产品系列 IRF1503S - -

漏源击穿电压 30.0 V - -

长度 - - 6.5 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.3 mm

封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free