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IRF1503SPBF、IRF1503STRLPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1503SPBF IRF1503STRLPBF

描述 D2PAK N-CH 30V 190AD2PAK N-CH 30V 190A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 200 W 200 W

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 200 W 200W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 190A 190A

上升时间 130 ns 130 ns

输入电容(Ciss) 5730pF @25V(Vds) 5730pF @25V(Vds)

下降时间 48 ns 48 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc)

通道数 - -

漏源极电阻 - -

阈值电压 - -

输入电容 - -

长度 6.5 mm -

宽度 6.22 mm -

高度 2.3 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free