1N5544C-1TR、JAN1N5544C-1、1N5544对比区别

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型号 1N5544C-1TR JAN1N5544C-1 1N5544

描述 DO-35 28V 0.5W(1/2W)无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW低电压雪崩500 mW的稳压二极管DO- 35 Low Voltage Avalanche 500 mW Zener Diodes DO-35

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

耗散功率 500 mW - -

稳压值 28 V 28 V -

容差 - ±2 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

产品生命周期 Obsolete Active Active

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - -