IPD70N10S3L12ATMA1、NVB6411ANT4G对比区别

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型号 IPD70N10S3L12ATMA1 NVB6411ANT4G

描述 INFINEON  IPD70N10S3L12ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 100 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 VD2PAK N-CH 100V 77A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-263-3

针脚数 3 -

漏源极电阻 0.0096 Ω -

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 125 W 217 W

阈值电压 1.7 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 70A 77A

输入电容(Ciss) 5550pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 125 W -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 125W (Tc) 217W (Tc)

无卤素状态 - Halogen Free

上升时间 - 144 ns

下降时间 - 157 ns

长度 6.5 mm -

宽度 6.22 mm -

高度 2.3 mm -

封装 TO-252-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -