IKB20N60H3、IRGS4062DTRLPBF、IRGSL4062DPBF对比区别

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型号 IKB20N60H3 IRGS4062DTRLPBF IRGSL4062DPBF

描述 IGBT 晶体管 600v Hi-Speed SW IGBTIGBT Transistors IGBT DISCRETESTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 25000mW 3Pin(3+Tab) TO-262 Tube

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-262-3

额定功率 170 W - 250 W

耗散功率 170 W - 25000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - - 600 V

反向恢复时间 - - 89 ns

额定功率(Max) - - 250 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 250000 mW 25000 mW

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-262-3

工作温度 -40℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 - - EAR99