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MAP6KE27A、MAP6KE27AE3、P6KE27AT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MAP6KE27A MAP6KE27AE3 P6KE27AT

描述 23.1V 600W23.1V 600WTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 23.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 T-18 T-18 -

最大反向电压(Vrrm) 23.1V 23.1V -

脉冲峰值功率 600 W 600 W -

最小反向击穿电压 25.7 V 25.7 V -

封装 T-18 T-18 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -