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FMD40-06KC、IXKF40N60SCD1、APT40N60JCU2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FMD40-06KC IXKF40N60SCD1 APT40N60JCU2

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 38A 5Pin(5+Tab) ISOPLUS I4-PACTrans MOSFET N-CH 600V 41A 5Pin(5+Tab) ISOPLUS I4-PACISOTOP升压斩波超级结MOSFET功率模块 ISOTOP Boost chopper Super Junction MOSFET Power Module

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Chassis

封装 ISOPLUS-i4-PAK-5 ISOPLUS-i4-3 SOT-227-4

引脚数 - 5 4

通道数 1 - -

漏源极电阻 60 mΩ - -

耗散功率 - - 290000 mW

阈值电压 3.9 V - -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V - -

上升时间 30 ns 18 ns 30 ns

下降时间 10 ns 50 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -40 ℃ -55 ℃

极性 - - N-CH

连续漏极电流(Ids) - - 40A

输入电容(Ciss) - - 7015pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - - 290W (Tc)

长度 19.91 mm - -

宽度 5.03 mm - -

高度 20.88 mm - 9.6 mm

封装 ISOPLUS-i4-PAK-5 ISOPLUS-i4-3 SOT-227-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free