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AD645JN、AD645KN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AD645JN AD645KN

描述 低噪声,低漂移的FET运算放大器 Low Noise, Low Drift FET Op Amp低噪声,低漂移的FET运算放大器 Low Noise, Low Drift FET Op Amp

数据手册 --

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 8

封装 DIP DIP

增益频宽积 - 2 MHz

工作温度(Max) - 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃

耗散功率(Max) - 750 mW

共模抑制比(Min) - 94 dB

封装 DIP DIP

产品生命周期 Unknown Unknown

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead -