MTB50N06V、MTB50N06VT4、NTB45N06T4G对比区别

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型号 MTB50N06V MTB50N06VT4 NTB45N06T4G

描述 D2PAK N-CH 60V 42AD2PAK N-CH 60V 42AON SEMICONDUCTOR  NTB45N06T4G  MOSFET Transistor, N Channel, 45 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 2.8 V 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

封装 D2PAK D2PAK TO-263-3

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 3

极性 N-CH N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 42A 42A 45.0 A, 45.0 mA

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 45.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 26 mΩ

耗散功率 - - 125 W

阈值电压 - - 2.8 V

漏源击穿电压 - - 60 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

上升时间 - - 101 ns

输入电容(Ciss) - - 1725pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 2.4 W

下降时间 - - 106 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 2.4 W

封装 D2PAK D2PAK TO-263-3

长度 - - 10.29 mm

宽度 - - 4.83 mm

高度 - - 11.05 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

RoHS标准 - - RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99