PMN45EN、PMN45EN,165对比区别
描述 PMN45EN N沟道MOSFET 30V 5.2A SOT-163/TSOP-6/SC-74 marking/标记 45 低导通电阻/高速开关/低阈值PMN45EN - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 6
封装 SOT-163 TSOP-457
耗散功率 - 1.75 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
上升时间 - 19 ns
输入电容(Ciss) - 495pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 1.75 W
下降时间 - 16 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 1.75W (Tc)
极性 N-CH -
连续漏极电流(Ids) 5.2A -
封装 SOT-163 TSOP-457
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free