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JANTXV2N5116、PMBFJ177、2N5116对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTXV2N5116 PMBFJ177 2N5116

描述 Trans JFET P-CHMOS(场效应管)/PMBFJ177JFET P-CH 30V 0.5W(1/2W) TO18

数据手册 ---

制造商 Solitron Devices NXP (恩智浦) Central Semiconductor

分类 JFET晶体管

基础参数对比

封装 - SOT-23-3 TO-206

安装方式 Surface Mount - Through Hole

引脚数 - - 3

封装 - SOT-23-3 TO-206

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

漏源极电阻 - - 150 Ω

耗散功率 - - 500 mW

击穿电压 - - 30 V

输入电容(Ciss) - - 25pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 500 mW

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 500 mW

材质 - - Silicon

工作温度 - - -65℃ ~ 200℃ (TJ)