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PEMZ7、PEMZ7,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PEMZ7 PEMZ7,115

描述 NPN / PNP通用晶体管 NPN/PNP general purpose transistorsSOT-666 NPN+PNP 12V 0.5A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6

封装 SOT-666 SOT-666-6

极性 NPN+PNP NPN, PNP

耗散功率 - 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 12 V 12 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) - 200 @10mA, 2V

额定功率(Max) - 300 mW

直流电流增益(hFE) - 200

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW

频率 - -

最大电流放大倍数(hFE) - -

高度 - 0.6 mm

封装 SOT-666 SOT-666-6

长度 - -

宽度 - -

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - -