FQD10N20CTF、FQD10N20CTM对比区别

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型号 FQD10N20CTF FQD10N20CTM

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD10N20CTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 200 V, 0.29 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

引脚数 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

安装方式 Surface Mount Surface Mount

针脚数 - 3

漏源极电阻 290 mΩ 0.29 Ω

耗散功率 50W (Tc) 50 W

阈值电压 - 4 V

输入电容 - -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

上升时间 - 92 ns

输入电容(Ciss) 510pF @25V(Vds) 510pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 50 W

下降时间 - 72 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 50W (Tc) 50W (Tc)

额定电压(DC) 200 V 200 V

额定电流 7.80 A 7.80 A

通道数 - 1

极性 N-Channel N-Channel

漏源击穿电压 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 7.80 A 7.80 A

栅源击穿电压 ±30.0 V -

长度 - 6.6 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99