锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

DDTD113ZC-7、DDTD113ZC-7-F、DDTD113ZC-13对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DDTD113ZC-7 DDTD113ZC-7-F DDTD113ZC-13

描述 Trans Digital BJT NPN 40V 500mA Automotive 3Pin SOT-23 T/RDDTD113ZC-7-F 编带Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

安装方式 - Surface Mount -

极性 NPN NPN -

耗散功率 200 mW 0.2 W -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 50 V -

集电极最大允许电流 500mA 500mA -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

增益带宽 200 MHz 200 MHz -

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW -

最小电流放大倍数(hFE) - 56 @50mA, 5V -

额定功率(Max) - 200 mW -

高度 0.98 mm - -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - EAR99 -