STD15NF10T4、STD85N3LH5、STP140NF55对比区别

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型号 STD15NF10T4 STD85N3LH5 STP140NF55

描述 STMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STD85N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 VMOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.065 Ω 0.0046 Ω 0.008 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 70 W 70 W 300 W

阈值电压 3 V 2.5 V 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 30 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 23.0 A 40.0 A 80.0 A

上升时间 45 ns 14 ns 150 ns

输入电容(Ciss) 870pF @25V(Vds) 1850pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 70 W 70 W 300 W

下降时间 17 ns 10.8 ns 45 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 300W (Tc)

额定电压(DC) 100 V - 55.0 V

额定电流 23.0 A - 80.0 A

通道数 1 - 1

漏源击穿电压 100 V - 55 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

长度 6.6 mm 6.6 mm 10.4 mm

宽度 6.2 mm 6.2 mm 4.6 mm

高度 2.4 mm 2.4 mm 15.75 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -