IRFR024NPBF、IRFR1205TRPBF、IRFR024TRPBF对比区别
型号 IRFR024NPBF IRFR1205TRPBF IRFR024TRPBF
描述 INFINEON IRFR024NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。VISHAY IRFR024TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 60 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252
额定功率 38 W 69 W -
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.075 Ω 0.027 Ω 0.1 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 38 W 107 W 42 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 17A 44A 14.0 A
上升时间 34 ns 69 ns 58 ns
输入电容(Ciss) 370pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 45 W 107 W -
下降时间 27 ns 60 ns 42 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 45W (Tc) 107W (Tc) -
输入电容 370pF @25V - -
漏源击穿电压 55 V - -
长度 6.73 mm 6.73 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.39 mm 2.39 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active -
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -