锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRFR024NPBF、IRFR1205TRPBF、IRFR024TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR024NPBF IRFR1205TRPBF IRFR024TRPBF

描述 INFINEON  IRFR024NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。VISHAY  IRFR024TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 60 V, 0.1 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

额定功率 38 W 69 W -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.075 Ω 0.027 Ω 0.1 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 38 W 107 W 42 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 17A 44A 14.0 A

上升时间 34 ns 69 ns 58 ns

输入电容(Ciss) 370pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 45 W 107 W -

下降时间 27 ns 60 ns 42 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 45W (Tc) 107W (Tc) -

输入电容 370pF @25V - -

漏源击穿电压 55 V - -

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.39 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active -

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -