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MPLAD30KP36A、MPLAD30KP36AE3、MXPLAD30KP36A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPLAD30KP36A MPLAD30KP36AE3 MXPLAD30KP36A

描述 36V 30000W36V 30000W33V 30000W

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SMD SMD SMD

钳位电压 58.1 V 58.1 V 53.3 V

最大反向电压(Vrrm) 36V 36V 33V

测试电流 5 mA 5 mA 5 mA

脉冲峰值功率 30000 W 30000 W 30000 W

最小反向击穿电压 40 V 40 V 40 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

封装 SMD SMD SMD

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead