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BZX55B2V4-TAP、BZX55F2V4-TAP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX55B2V4-TAP BZX55F2V4-TAP

描述 Diode Zener Single 2.4V 2% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 AmmoDiode Zener Single 2.4V 3% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 Ammo

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-204AH

容差 ±2 % ±1 %

正向电压 1.5V @200mA 1.5V @200mA

耗散功率 500 mW -

测试电流 5 mA -

稳压值 2.4 V 2.4 V

正向电压(Max) 1.5 V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW

耗散功率(Max) 500 mW -

长度 3.9 mm -

宽度 1.7 mm -

高度 1.7 mm -

封装 DO-35 DO-204AH

工作温度 -65℃ ~ 175℃ 175 ℃

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Ammo Pack Bulk

RoHS标准 RoHS-conform RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 -