IXTP3N60P、IXTY3N60P、IXTA3N60P对比区别

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型号 IXTP3N60P IXTY3N60P IXTA3N60P

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXTP3N60P  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 600 V, 2.9 ohm, 10 V, 5.5 VTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3Pin(2+Tab) DPAKTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3Pin(2+Tab) TO-263

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 3.00 A 3.00 A 3.00 A

耗散功率 70 W 70W (Tc) 70W (Tc)

输入电容 411 pF 411 pF 411 pF

栅电荷 9.80 nC 9.80 nC 9.80 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 3.00 A 3.00 A

输入电容(Ciss) 411pF @25V(Vds) 411pF @25V(Vds) 411pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc)

阈值电压 5.5 V 5.5 V -

上升时间 25 ns 25 ns -

额定功率(Max) - 70 W -

下降时间 22 ns 22 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 2.9 Ω - -

极性 N-Channel - -

反向恢复时间 500 ns - -

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 - - EAR99