HAT2165H-EL-E、PH2525L,115、PH6325L,115对比区别

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型号 HAT2165H-EL-E PH2525L,115 PH6325L,115

描述 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power SwitchingLFPAK N-CH 25V 100ALFPAK N-CH 25V 78.7A

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 - 4

封装 SOT-669 Power-SO8 SOT-669

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 30 W 62.5 W 62.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 25 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 55A 100A 78.7 A

上升时间 65 ns 92 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 5180pF @10V(Vds) 4470pF @12V(Vds) 1871pF @12V(Vds)

额定功率(Max) 30 W 62.5 W 62.5 W

下降时间 9.5 ns 37 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 30W (Tc) 62.5W (Tc) 62.5W (Tc)

封装 SOT-669 Power-SO8 SOT-669

材质 Silicon - -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -