MOCD207M、MOCD207R2M、ILD205T对比区别
型号 MOCD207M MOCD207R2M ILD205T
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MOCD207M 光电耦合器, 双通道FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MOCD207R2M. 光电耦合器, 双通道, 8-SOIC光电耦合器，光电晶体管输出，双通道， SOIC- 8封装 Optocoupler, Phototransistor Output, Dual Channel, SOIC-8 package
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)
分类 光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
上升/下降时间 3.2µs, 4.7µs 3.2µs, 4.7µs 3μs, 4.7μs
输入电压(DC) 1.25 V 1.25 V -
输出电压 70.0 V 70.0 V 70.0 V
电路数 2 2 -
通道数 2 2 2
针脚数 8 8 8
正向电压 1.25 V 1.25 V 1.2 V
输入电流 30.0 mA 60.0 mA 10.0 mA
耗散功率 250 mW 0.25 W 0.3 W
上升时间 1.6 µs 1.6 µs 3 µs
隔离电压 2500 Vrms 2500 Vrms 4000 Vrms
击穿电压(集电极-发射极) 70 V - -
正向电流 60 mA 60 mA 30 mA
输出电压(Max) 70 V 70 V 70 V
输入电流(Min) 60 mA 60 mA -
击穿电压 6 V 6 V 6 V
正向电压(Max) 1.55 V 1.55 V 1.55 V
正向电流(Max) 60 mA 60 mA 30 mA
下降时间 2.2 µs 2.2 µs 4.7 µs
工作温度(Max) 100 ℃ 100 ℃ 100 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250 mW 250 mW 300 mW
额定电压(DC) - - 1.20 V
长度 5.13 mm - -
宽度 4.16 mm 4.16 mm -
高度 3.43 mm 3.43 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 100℃ -40℃ ~ 100℃ -55℃ ~ 100℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - NLR -