IXSH30N60B2D1、IXXH30N60B3D1对比区别
型号 IXSH30N60B2D1 IXXH30N60B3D1
描述 IGBT 分立，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW Automotive 3Pin(3+Tab) TO-247AD
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V -
额定电流 48.0 A -
耗散功率 250 W 270000 mW
上升时间 30.0 ns -
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
反向恢复时间 30 ns 25 ns
额定功率(Max) 250 W 270 W
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250000 mW 270000 mW
长度 16.26 mm -
宽度 5.3 mm -
高度 21.46 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99