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IDT71V124SA10Y、IDT71V124SA10Y8、IS63LV1024L-10KLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71V124SA10Y IDT71V124SA10Y8 IS63LV1024L-10KLI

描述 3.3V CMOS静态RAM 1兆欧( 128K ×8位)中心电源和接地引脚 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout3.3V 128K x 8 Statis RAM Center Power & Ground Pinout静态随机存取存储器 1Mb 128Kx8 10ns 3.3v Async 静态随机存取存储器 3.3v

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 32

封装 SOJ-32 BSOJ-32 SOJ-32

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.45 V (max)

供电电流 - - 160 mA

位数 - - 8

存取时间 - - 10 ns

内存容量 - - 1000000 B

存取时间(Max) - - 10 ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

电源电压 3.15V ~ 3.6V 3.15V ~ 3.6V 3.15V ~ 3.45V

封装 SOJ-32 BSOJ-32 SOJ-32

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube, Rail Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead 无铅

ECCN代码 3A991 3A991 EAR99