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BCW61D、BCW61D,215、BCW61DE6327对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW61D BCW61D,215 BCW61DE6327

描述 NXP  BCW61D  晶体管 双极-射频, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 630 hFE 新晶体管 双极-射频, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 630 hFESOT-23 PNP 32V 0.1A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 -

耗散功率 250 mW 250 mW 330 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 32 V 32 V

最小电流放大倍数(hFE) - 380 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 250 mW -

直流电流增益(hFE) 630 630 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 250 mW -

频率 - - 250 MHz

极性 PNP - PNP

集电极最大允许电流 - - 0.1A

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active End of Life

包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -