IRF530A、IRF530PBF、IRF530N对比区别

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型号 IRF530A IRF530PBF IRF530N

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  IRF530A  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V 新功率MOSFET Power MOSFETTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3Pin (3+Tab) TO-220AB

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管N沟道MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 14.0 A 17.0 A

漏源极电阻 110 mΩ 160 mΩ 90.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 55 W 88 W 70.0 W

产品系列 - - IRF530N

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 -12.0 V - 100V (min)

栅源击穿电压 ±0.00 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14.0 A 17.0 A

上升时间 14 ns 34 ns 22.0 ns

针脚数 3 3 -

阈值电压 2 V 4 V -

输入电容(Ciss) 790pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 55 W 88 W -

下降时间 36 ns 24 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 55W (Tc) 88 W -

额定功率 - 88 W -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 10.1 mm 10.41 mm -

宽度 4.7 mm 4.7 mm -

高度 9.4 mm 9.01 mm -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Rail Tube Tube

最小包装 - 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 - -