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JAN1N6156A、JANTX1N6053A、1N6053对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6156A JANTX1N6053A 1N6053

描述 Diode TVS Single Bi-Dir 29.7V 1.5kW 2PinTrans Voltage Suppressor Diode, 33V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-13,双向瞬态吸收齐纳 BIDIRECTIONAL TRANSIENT ABSORPTION ZENER

数据手册 ---

制造商 Semtech Corporation Sensitron Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 Axial DO-13 DO-13

额定功率 1500 W - -

击穿电压 37.1 V - -

钳位电压 53.6 V 53.9 V 56.4 V

测试电流 30 mA 1 mA 1 mA

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

击穿电压 37.1 V - -

最小反向击穿电压 - - 35.1 V

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

工作结温 - -65℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

封装 Axial DO-13 DO-13

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)