FGB40N6S2、FGB40N6S2T、FGB40N6S2L86Z对比区别

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型号 FGB40N6S2 FGB40N6S2T FGB40N6S2L86Z

描述 600V ，开关电源II系列N沟道IGBT 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT马达/运动/点火控制器和驱动器 600V N-Channel IGBT SMPS II SeriesInsulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

引脚数 3 - -

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 75.0 A 75.0 A -

耗散功率 290000 mW 290 W -

上升时间 10.0 ns 10.0 ns -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V -

额定功率(Max) 290 W 290 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 290000 mW - -

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 9.65 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 - -