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APT5010B2VFRG、IXFX48N50Q、APT5010B2VR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT5010B2VFRG IXFX48N50Q APT5010B2VR

描述 T-MAX N-CH 500V 47ATrans MOSFET N-CH 500V 48A 3Pin(3+Tab) PLUS 247T-MAX N-CH 500V 47A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-264 TO-247-3 T-MAX

耗散功率 - 500 W -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

上升时间 - 22 ns -

输入电容(Ciss) - 7000pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 500 W -

下降时间 - 10 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 500W (Tc) -

额定电压(DC) 500 V - -

额定电流 47.0 A - -

极性 N-CH - N-CH

输入电容 8.90 nF - -

栅电荷 470 nC - -

连续漏极电流(Ids) 47.0 A - 47A

封装 TO-264 TO-247-3 T-MAX

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Not Recommended Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -