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MAX4426ESA+T、NCP3420DR2G、IR4427SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MAX4426ESA+T NCP3420DR2G IR4427SPBF

描述 MOSFET DRVR 1.5A 2Out Lo Side Inv 8Pin SOIC N T/RON SEMICONDUCTOR  NCP3420DR2G  MOSFET Driver, 4.6V-13.2V supply, SOIC-8 新MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作电压 - - 6V ~ 20V

额定功率 - - 625 mW

上升/下降时间 20 ns 16ns, 11ns 15ns, 10ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 - - 20 V

输出电流 - - 2.3 A

供电电流 - - 1500 μA

通道数 - - 2

耗散功率 471 mW - 0.625 W

上升时间 - 16 ns 35ns (Max)

热阻 - - 200℃/W (RθJA)

下降时间 - 11 ns 25ns (Max)

下降时间(Max) - 11 ns 25 ns

上升时间(Max) - 16 ns 35 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 471 mW - 625 mW

电源电压 4.5V ~ 18V 4.6V ~ 13.2V 6V ~ 20V

电源电压(Max) - 13.2 V 20 V

电源电压(Min) - 4.6 V 6 V

电源电压(DC) - 4.60V (min) -

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 8 -

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99