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BCW67B、BCW68F对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW67B BCW68F

描述 PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF TransistorsSurface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Diotec Semiconductor

分类

基础参数对比

封装 SOT-23-3 -

极性 PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 32 V -

集电极最大允许电流 0.8A -

耗散功率(Max) 330 mW -

封装 SOT-23-3 -

产品生命周期 End of Life Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -