MC33178D、MC33178DG、MC33178DR2G对比区别
型号 MC33178D MC33178DG MC33178DR2G
描述 低功耗，低噪声运算放大器 Low Power, Low Noise Operational AmplifiersMC33178、MC33179、低功率、低噪声运算放大器，ON SemiconductorON Semiconductor MC33178/9 系列的运算放大器使用双极技术，用于高质量音频和数据信号处理应用。 它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。 它们还提供高输出电流驱动能力，同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。 提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。600 W 输出驱动能力 大输出电压摆幅 低偏置电压：0.15 mV（平均值） 低总谐波畸变：0.0024%（@ 1 kHz、600 W 负载时） 高增益带宽：5 MHz 高转换速率：2 V/μs 双电源操作：±2 V 至 ±18 V 输入上的静电放电钳位 ### 运算放大器，ON SemiconductorMC33178、MC33179、低功率、低噪声运算放大器，ON SemiconductorON Semiconductor MC33178/9 系列的运算放大器使用双极技术，用于高质量音频和数据信号处理应用。 它们使用高频 PNP 输入晶体管产生低输入偏置电压、低噪音和低失真的放大器。 它们还提供高输出电流驱动能力，同时每个放大器消耗仅 420 μA 漏极电流。 提供采用 DIP 和 SOIC 封装的双路和四路型号。600 W 输出驱动能力 大输出电压摆幅 低偏置电压：0.15 mV（平均值） 低总谐波畸变：0.0024%（@ 1 kHz、600 W 负载时） 高增益带宽：5 MHz 高转换速率：2 V/μs 双电源操作：±2 V 至 ±18 V 输入上的静电放电钳位 ### 运算放大器，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
电源电压(DC) - 36.0 V -
工作电压 - 2V ~ 18V -
无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free
供电电流 - 1.7 mA 1.7 mA
电路数 - 2 2
通道数 2 2 2
针脚数 - 8 8
共模抑制比 80 dB 80 dB 110 dB
带宽 - 3 MHz 5 MHz
转换速率 - 2.00 V/μs 2.00 V/μs
增益频宽积 5 MHz 5 MHz 5 MHz
输入补偿电压 - 1.5 mV 1.5 mV
输入偏置电流 - 100 nA 100 nA
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
增益带宽 - 5 MHz 5 MHz
共模抑制比(Min) - 80 dB 80 dB
电源电压(Max) 36 V 18 V -
电源电压(Min) 4 V 4 V -
输出电流 - - 80 mA
电源电压 - - 36 V
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Each Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - - NLR