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TL062ACDT、TL062IDT、TL062ACD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL062ACDT TL062IDT TL062ACD

描述 运算放大器, 2个放大器, 1 MHz, 3.5 V/µs, 6V 至 36V, SOIC, 8 引脚STMICROELECTRONICS  TL062IDT  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 3.5 V/µs, 6V 至 36V, SOIC, 8 引脚低功率J-FET双运算放大器 LOW POWER J-FET DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 200 µA 200 µA 200 µA

电路数 2 2 2

耗散功率 0.68 W 680 mW 680 mW

转换速率 3.50 V/μs 3.50 V/μs 3.50 V/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1 MHz

输入补偿电压 6 mV 3 mV 3 mV

输入偏置电流 0.2 nA 30 pA 30 pA

工作温度(Max) 105 ℃ 105 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

通道数 2 2 -

针脚数 8 8 -

共模抑制比 80 dB 86 dB -

带宽 1 MHz 1 MHz -

增益带宽 1 MHz 1 MHz -

耗散功率(Max) 680 mW 680 mW -

共模抑制比(Min) 80 dB 80 dB -

电源电压 6V ~ 36V 6V ~ 36V -

电源电压(Max) 36 V 36 V -

电源电压(Min) 6 V - -

工作电压 - 6.36 V -

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.65 mm

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 105℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -