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IPB100N06S2L05ATMA2、IPB80N06S2L05ATMA1、IPB100N06S2L05ATMA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB100N06S2L05ATMA2 IPB80N06S2L05ATMA1 IPB100N06S2L05ATMA1

描述 N沟道 55V 100AD2PAK N-CH 55V 80AInfineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB100N06S2L05ATMA1, 100 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-263-3

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 300 W 300 W 300W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 100A 80A 100A

上升时间 25 ns - 25 ns

输入电容(Ciss) 5660pF @25V(Vds) 5700pF @25V(Vds) 5660pF @25V(Vds)

下降时间 24 ns - 24 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

漏源极电阻 - 0.0041 Ω -

阈值电压 - 1.6 V -

封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-263-3

长度 - - 10.31 mm

宽度 - - 9.45 mm

高度 - - 4.57 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -