STP4NK60ZFP、STP8NM60FP、FQPF5N60C对比区别

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型号 STP4NK60ZFP STP8NM60FP FQPF5N60C

描述 STMICROELECTRONICS  STP4NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 VN沟道650V TJMAX - 0.9ohm -8A TO- 220 / FP / D / IPAK / D2PAK的STripFET II MOSFET N-CHANNEL 650V Tjmax-0.9ohm-8A TO-220/FP/D/IPAK/D2PAK STripFET II MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF5N60C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 2.5 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 650 V 600 V

额定电流 - 8.00 A 4.50 A

漏源极电阻 2 Ω 1.00 Ω 2.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 25 W 30W (Tc) 33 W

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

漏源击穿电压 - 600 V 600 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 8.00 A 4.50 A

上升时间 9.5 ns 10 ns 42 ns

输入电容(Ciss) 510pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 25 W 30 W 33 W

下降时间 16.5 ns 10 ns 46 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 25000 mW 30W (Tc) 33W (Tc)

针脚数 3 - 3

阈值电压 3.75 V - 4 V

额定功率 25 W - -

通道数 1 - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.4 mm - -

宽度 4.6 mm - -

高度 9.3 mm - -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR