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VNV20N07、VNV20N07-E、VNV20N0713TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VNV20N07 VNV20N07-E VNV20N0713TR

描述 ? OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETPower Switch Lo Side 1Out 14A 0.07Ω Automotive 12Pin(10+2Tab) PowerSO TubePower Switch Lo Side 1Out 14A 0.07Ω Automotive 12Pin(10+2Tab) PowerSO T/R

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

引脚数 12 12 12

封装 PowerSO-10 PowerSO-10 PowerSO-10

安装方式 - Surface Mount -

输出接口数 1 1 1

输出电流(Max) 14 A 14 A 14 A

漏源极电阻 50.0 mΩ 50.0 mΩ -

耗散功率 83.0 W 83 W -

漏源击穿电压 70.0 V 70.0 V -

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A -

输出电流 - 14 A -

供电电流 - 0.25 mA -

极性 - N-Channel -

输入电压(Max) - 18 V -

输出电流(Min) - 14 A -

输入数 - 1 -

耗散功率(Max) - 83000 mW -

输入电压 - 18 V -

封装 PowerSO-10 PowerSO-10 PowerSO-10

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99