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IRLZ44N、IRLZ44NPBF、IRLZ44对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLZ44N IRLZ44NPBF IRLZ44

描述 TO-220AB N-CH 55V 47AINFINEON  IRLZ44NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 41 A, 55 V, 22 mohm, 10 V, 2 VPower Field-Effect Transistor, 47A I(D), 55V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 47.0 A - -

通道数 1 - -

漏源极电阻 22 mΩ 0.022 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 110 W 83 W -

产品系列 IRLZ44N - -

漏源极电压(Vds) 55.0 V 55 V -

漏源击穿电压 55 V 55 V -

栅源击穿电压 ±16.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 47.0 A 47A -

上升时间 84 ns 84 ns -

输入电容(Ciss) 1700pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) -

下降时间 15 ns 15 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 110000 mW 3.8W (Ta), 110W (Tc) -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 2 V -

输入电容 - 1700 pF -

额定功率(Max) - 110 W -

长度 10 mm 10.54 mm -

宽度 4.4 mm - -

高度 15.65 mm 8.77 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -