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IRL1004S、IRL1004STRLPBF、IRL1004SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL1004S IRL1004STRLPBF IRL1004SPBF

描述 D2PAK N-CH 40V 130AD2PAK N-CH 40V 130AINFINEON  IRL1004SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 40 V, 6.5 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 - 150 W 150 W

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8 W 3.1 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 130A 130A 130A

上升时间 - 210 ns 210 ns

输入电容(Ciss) 5330pF @25V(Vds) 5330pF @25V(Vds) 5330pF @25V(Vds)

下降时间 - 14 ns 14 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.0065 Ω

阈值电压 - - 1 V

漏源击穿电压 - - 40 V

长度 - 6.5 mm 10.67 mm

宽度 - 6.22 mm 9.65 mm

高度 - 2.3 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -