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VBT10200C-E3/8W、VBT10200C-E3/4W、VB60170G-E3/4W对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VBT10200C-E3/8W VBT10200C-E3/4W VB60170G-E3/4W

描述 肖特基二极管与整流器 10A 200V TrenchMOS肖特基二极管与整流器 10A 200V TrenchMOSVISHAY VB60170G-E3/4W Schottky Rectifier, 170V, 60A, Dual Common Cathode, TO-263AB, 3Pins, 1.02V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管阵列二极管阵列肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

正向电压 1.6V @5A 1.6V @5A 1.02V @30A

正向电流 - - 60 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 210 A

正向电压(Max) - 1.6V @5A 1.02 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ -