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S2000AFI、THD200FI、ST13007对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 S2000AFI THD200FI ST13007

描述 高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 SOT-93-3 ISOWATT-218 TO-220-3

安装方式 Surface Mount - Through Hole

引脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 700 V 700 V 400 V

集电极最大允许电流 8A 10A 8A

耗散功率 50000 mW - 80 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 50000 mW - 80000 mW

额定电压(DC) - - 400 V

额定电流 - - 8.00 A

针脚数 - - 3

最小电流放大倍数(hFE) - - 5 @5A, 5V

额定功率(Max) - - 80 W

直流电流增益(hFE) - - 5

封装 SOT-93-3 ISOWATT-218 TO-220-3

长度 16.2 mm - -

宽度 5.65 mm - -

高度 14.9 mm - -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

工作温度 - - 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99