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MT47H64M16NF-25E:M、MT47H64M16HR-25:H TR、MT47H64M16HR-25E:H对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT47H64M16NF-25E:M MT47H64M16HR-25:H TR MT47H64M16HR-25E:H

描述 DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84Pin FBGA T/RDRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84Pin FBGA

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 84 84 84

封装 TFBGA-84 TFBGA-84 FBGA-84

供电电流 160 mA 160 mA 160 mA

时钟频率 400 MHz - -

位数 16 16 16

存取时间 400 ps - -

存取时间(Max) 0.4 ns 0.4 ns 0.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

工作电压 - - 1.80 V

封装 TFBGA-84 TFBGA-84 FBGA-84

高度 - 0.8 mm 0.8 mm

工作温度 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free