IRF7425PBF、SI9433BDY-T1-GE3、FDS9431A对比区别

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型号 IRF7425PBF SI9433BDY-T1-GE3 FDS9431A

描述 INFINEON  IRF7425PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 15 A, -20 V, 8.2 mohm, 4.5 V, 1.2 VVISHAY  SI9433BDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1.5 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9431A  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -20 V, 130 mohm, -4.5 V, -600 mV

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

额定电压(DC) - - -20.0 V

额定电流 - - -3.50 A

通道数 - - 1

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0082 Ω 0.03 Ω 130 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5 W 1.3 W 2.5 W

输入电容 - - 405 pF

栅电荷 - - 6.00 nC

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 - - 20 V

栅源击穿电压 - - ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) -15.0 A - -3.50 A

上升时间 20 ns - 20 ns

输入电容(Ciss) 7980pF @15V(Vds) - 405pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - 1 W

下降时间 160 ns - 21 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)

额定功率 2.5 W - -

产品系列 IRF7425 - -

阈值电压 1.2 V - -

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99