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IDT70V3599S133BCGI、IDT70V3599S133BF、70V3599S133BC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT70V3599S133BCGI IDT70V3599S133BF 70V3599S133BC

描述 RAM,IDT### SRAM(静态随机存取存储器)HIGH -SPEED 3.3V 128 / 64K ×36同步双端口静态RAM 3.3V或2.5V接口 HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACEMulti-Port SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, 1MM PITCH, BGA-256

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 256 - 256

封装 BGA LFBGA-208 LBGA-256

电源电压 - 3.3 V 3.15V ~ 3.45V

时钟频率 40 MHz - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

长度 17 mm - 17.0 mm

宽度 17 mm - 17.0 mm

封装 BGA LFBGA-208 LBGA-256

厚度 - - 1.40 mm

高度 1.4 mm - -

工作温度 - - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 - Tray Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 3A991 3A991 -