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TA6F51AHM3/6B、TA6F51AHM3/6A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TA6F51AHM3/6B TA6F51AHM3/6A

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 600W,51V 5%, SlimSMA PARESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 78-TA6F51AHM3_A/H

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DO-221AC DO-221AC-2

脉冲峰值功率 600 W 600 W

最小反向击穿电压 48.5 V 48.5 V

击穿电压 - 53.6 V

钳位电压 - 70.1 V

工作温度(Max) - 185 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

封装 DO-221AC DO-221AC-2

工作温度 -65℃ ~ 185℃ (TJ) -65℃ ~ 185℃ (TJ)

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅